[schottky]

Dalla lettura di un data sheet di un mosfet con bassa Vgs(th) come il 2N7002 (in questo caso la Vgs(th) dichiarata è di 400mV) si scopre ce questa tensione è appena sufficiente per aprire il canale non certo per far passare 800mA. Considerando la curva Vgs-Rds(on) con una corrente di 800mA si scopre che occore una Vgs di almeno 1.5V e che in queste condizioni la Rds(on) è circa 1 ohm. Se si sommano gli 0.7V di caduta sulla resistenza di misura la caduta sul Led e il prodotto di Rds(on9 per la corrente si scolre che con tensioni di 3.6V non potrà mai funzionare

[schottky]

Scusate gli errori:
Dalla lettura di un data sheet di un mosfet con bassa Vgs(th) come il 2N7002 (in questo caso la Vgs(th) dichiarata è di 400mV) si scopre ce questa tensione è appena sufficiente per aprire il canale non certo per far passare 800mA. Considerando la curva Vgs-Rds(on) con una corrente di 800mA si scopre che occore una Vgs di almeno 1.5V e che in queste condizioni la Rds(on) è circa 1 ohm. Se si sommano gli 0.7V di caduta sulla resistenza di misura la caduta sul Led e il prodotto di Rds(on) per la corrente si deduce che con tensioni di 3.6V non potrà mai funzionare

[mars]

2N7000 non sicuramente il componente più indicato. Per tensioni così basse esistono MOSFET migliori, anche se proprio non vedo il senso di sostituire in questo circuito un BJT con un MOSFET. Se è solo per la VCEsat ci sono modelli con anche meno di 100mV (BISS, NSS, ZTXN, ecc).

Il circuito, provato rapidamente con quanto è disponibile in casa, funziona .
Ovviamente risente di tutti i difetti della configurazione, ovvero una deviazione della corrente attorno al 10% (per un passaggio della V da 2.8 a 4.3V - sotto i 2.7V è problematico).
Inoltre c'è da prevedere una ulteriore deviazione della corrente dipendente dalla temperatura.

Personalmente, per pilotare un diodo laser da 800mA non utilizzerei questo circuito. O implementi una circuiteria più complessa o utilizzi uno dei circuiti integrati o dei moduli commerciali specificamente pensati per questi impieghi.

[schottky]

Ho provato (al simulatore) un IRF8314 raccomandato per basse tensioni ma haime con quello schema continua a non entrare in conduzione, se hai un esempio concreto, reale o simulato condividilo.

[schottky]

provato anche il BSH103 non funzionante, ho finito le raccomandazioni, ci vuole qualcos con la Vgs(th) molto più bassa

[Driverterminator]

provato anche il BSH103 non funzionante, ho finito le raccomandazioni, ci vuole qualcos con la Vgs(th) molto più bassa

Hai provato a simulare sostituendo il Bjt Q1 con un diodo al germanio??? Sebbene siano molto difficili da trovare, la VBEo è di soli 0,3 volt invece che 0,7. Il che significa che si potrebbe suddividere 0,3/0,4 per settare la corrente invece che 0,7/0,8. Potrei arrangiarmi spendendo qualche euro in più ma dovrebbe migliorare. "sto solo ipotizzando".

1) si abbassa il valore del resistore da applicare.
2) si somma una vbe + bassa di circa mezzo volt.

Ci resta solo che trovare un diavolo di componente con vcseat più bassa per il transistor Q2. E pensavo che i mosfet fossero gli unici ad avere caduta prossima a zero.. Magari qualcuno con un valore più negativo o un componente smd?

Comunque prova con un transistor al germanio invece che Q1.

[Driverterminator]

provato anche il BSH103 non funzionante, ho finito le raccomandazioni, ci vuole qualcos con la Vgs(th) molto più bassa

Hai provato a simulare sostituendo il Bjt Q1 con un diodo al germanio??? Sebbene siano molto difficili da trovare, la VBEo è di soli 0,3 volt invece che 0,7. Il che significa che si potrebbe suddividere 0,3/0,4 per settare la corrente invece che 0,7/0,8. Potrei arrangiarmi spendendo qualche euro in più ma dovrebbe migliorare. "sto solo ipotizzando".

1) si abbassa il valore del resistore da applicare.
2) si somma una vbe + bassa di circa mezzo volt.

Ci resta solo che trovare un diavolo di componente con vcseat più bassa per il transistor Q2. E pensavo che i mosfet fossero gli unici ad avere caduta prossima a zero.. Magari qualcuno con un valore più negativo o un componente smd?

Comunque prova con un transistor al germanio invece che Q1.

Ho dimenticato di accennare che come BJT NPN per Q2 esiste anche la famiglia dei KSD1691, con bassissima VCE(sat) intorno ai soli 100 millivolt come media ed è in grado di tirare su fino a 5 Ampere come il 2SD1805. Se dite che col mosfet attualmente in circolazione non si ottengono miglioramenti e che questo Merghart abbia detto una cavolata nel suo articolo (probabilmente vecchio di un bel pò), allora non vedo altre soluzioni! Perchè il KSD1691 è attualmente il transistor BJT a foro passante migliore che ho trovato sul mercato "riguardo la bassissima VCE(sat)"...
L'unica cosa che mi lascia perplesso è che come VBEo ha 7 volt invece che 6 (non capisco se parla del voltaggio massimo o quello necessario per fargli fare qualche funzione)...

Ad ogni modo secondo i miei calcoli, se dovessimo combinare questo tipo di BJT (Q2) con un "transistor al germanio" messo a Q1 che per attivarsi necessita intorno ai 300 millivolt dovremmo trovarci con """un'ipotetica caduta totale""" di 0,4/ 0,5 volt massimo... O sbaglio? Mi aiutate a comprendere cosa ho tralasciato su Q1 e come si calcola la caduta? Pensavo che su Q1 contava la VBE divisore per trovare la corrente come sola caduta di tensione.. quindi ho proposto di provare con un transistor NPN al germanio cercando di essere il più pignolo possibile e migliorare anche Q1, se mi dite con quale criterio cercarlo potrei aiutarvi nella ricerca e magari vi facilito la simulazione... Io direi di provare.

[schottky]

I transistor (non diodi) al germanio non hanno caratteristiche adatte per quel tipo di circuito. col mosfet non è che non ottieni miglioramenti, sempicemente non funziona. Comiunque o fai il circuito che ti è stato consigliato o ti arrangi da solo. Sinceramente sta diventando noioso

[mars]

Il circuito è stato provato (non simulato!) con IRLB3034 e DMN2065UWQ (con una corrente di circa 560mA dovuta ai componenti sotto mano e alla non voglia di fare prove più complesse per un circuito che mi interessa ben poco).
Ci sono anche altri MOSFET migliori usati per applicazioni 1.8V, ma hanno package SMD "esotici", non facili da utilizzare perchè previsti per dissipare calore sul pcb.

Ripeto: se il drammatico problema è la tensione di saturazione del transistor, NON servono MOSFET, che a basse tensioni non sono per niente facili da usare.
Come detto prima ci sono transistor (serie BISS di Nexperia , NSS di OnSemi, ZTXN di Diode Inc., ecc.) che hanno cadute di tensione minori .
Per trovarli, non volendo usare le ricerche dai siti dei costruttori, basta usare le ricerche parametriche di distributori come Mouser o Digikey.

[schottky]

@mars mi devo correggere, stavolta la colpa è mia, effettivamente con il BSH103 secondo il simulatore funziona, un pò meno bene che col BJT ma comunque funziona avevo sbagliato il valore delle resistenza.