- 21 apr 2016, 23:47
#2061
Ecco una semplice e chiara formula per calcolare la misteriosa Resistenza di polarizzazione per il Gate dei MOSFETs.
$$\begin{align}
Qg = Cg \times Vg \\
Ig = \frac{Qg}{tr} \\
Rg = \frac{Vg}{Ig} \\
\end{align}$$
Dove Qg è la Carica elettrica della Capacità di Gate in Coulomb, Cg è la Capacità di Gate in pF definita sui datasheet come Cin e Vg, è la Tensione applicata al Gate riferita a massa.
La Corrente di Gate necessaria ad attivare il MOSFET Ig, viene calcolata dividendo la Carica Elettrica della sua Capacità per il rising time (tempo di salita) tr solitamente in ns, a questo punto applicando la legge di Ohm otteniamo il valore della Resistenza da applicare sul Gate Rg semplicemente dividendo la Vg con la Ig ottenuta dal calcolo precedente.
Attenzione, normalmente per applicazioni switching e per assicurarsi una commutazione stabile, la Rg viene posta di un valore minore rispetto a quella risultante dal calcolo, da un 25% ad un 50% in meno.
$$\begin{align}
Qg = Cg \times Vg \\
Ig = \frac{Qg}{tr} \\
Rg = \frac{Vg}{Ig} \\
\end{align}$$
Dove Qg è la Carica elettrica della Capacità di Gate in Coulomb, Cg è la Capacità di Gate in pF definita sui datasheet come Cin e Vg, è la Tensione applicata al Gate riferita a massa.
La Corrente di Gate necessaria ad attivare il MOSFET Ig, viene calcolata dividendo la Carica Elettrica della sua Capacità per il rising time (tempo di salita) tr solitamente in ns, a questo punto applicando la legge di Ohm otteniamo il valore della Resistenza da applicare sul Gate Rg semplicemente dividendo la Vg con la Ig ottenuta dal calcolo precedente.
Attenzione, normalmente per applicazioni switching e per assicurarsi una commutazione stabile, la Rg viene posta di un valore minore rispetto a quella risultante dal calcolo, da un 25% ad un 50% in meno.
Nulla va lasciato al caso se non si vuol mirar fumanti scintille... 
